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为了能够进一步提高Sn的空位率以实现载流子浓度的进一步优化，跑酷该团队首次实现了Cd掺杂的SnSe微米级单晶片，跑酷如图6所示，使热电优值得到了进一步的提高。达人的跨（b）制备工艺温度参数。

战成最长以及(e)与单晶样品在中低温条件下的热电优值对比。同时，世界该团队发现随着铜掺杂浓度的提升，硒化锡单晶的择优生长会发生变化，由板条状逐渐向带状过渡，进而降低了烧结块体材料的各向异性。距离（d）烧结块体切片的TEM照片。

铜的掺杂导致晶格收缩，步跑并能够在晶格中引入纳米级应力区，造成局部晶格畸变。英国这种材料所展现出来的优异的热电性能得益于其较低的热导率（0.24Wm-1 K-1）。

跑酷图6 Cd掺杂的SnSe（a）计算得到的载流子浓度与功率因子及热导率的关系。

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步跑B)SnK边EXAFS光谱的傅立叶变换(FT)。然而，英国对于上述金属结构，存在的丰富微观结构(包括界面，晶界和表面粗糙度)导致无法确定其活性位点是否为带正电荷的金属物质。